ساختارهای دور آلاییده
اکرم رویانی 1394/10/25 دسته بندی : علوم پایه 1
عنوان ساختارهای دور آلاییده
چکيده در ساختارهاي Si/SiGe/Si که بوسيله روش رونشاني پرتو مولکولي رشد مي¬يابند به دليل ناپيوستگي نوار ظرفيت يک چاه کوانتومي در نوار ظرفيت و در لايه SiGe شکل مي¬گيرد اگر لايه¬هاي مجاور با ناخالصي¬هاي نوع p آلاييده شده باشند حفره¬های لايه آلاييده به داخل چاه کوانتومي مي¬روند و تشکيل گاز حفره¬اي دوبعدي در ميانگاه نزديک لايه آلاييده مي¬دهند اينگونه ساختارها را ساختار دورآلاييده مي نامند .به دليل جدايي فضايي بين حاملهاي آزاد دوبعدي و ناخالصي¬هاي يونيده در ساختارهاي دورآلاييده برهمکنش کولني کاهش يافته و درنتيجه پراکندگي ناشي از ناخالصي¬هاي يونيده کاهش و به تبع آن تحرک¬پذيري حاملهاي آزاد دوبعدي افزايش مي¬يابد .چگالي سطحي گاز حفره¬اي دوبعدي به پارامترهاي ساختار مثلاً ضخامت لايه جداگر ، چگالي سطحي بارهاي لايه پوششي ، ضخامت لايه پوششي ، و غيره وابسته است. علاوه بر اين در ساختارهاي دورآلاييده دريچه¬دار با تغيير ولتاِژ دريچه چگالي سطحي گاز حفره¬اي قابل کنترل مي¬باشد . اين ساختارها در ساخت ترانزيستورهاي اثر ميداني مورد استفاده قرار مي¬گيرند . در اين پايان نامه ابتدا به تشريح ساختار دورآلاييده Si/SiGe/Siمي¬پردازيم و سپس مدلي نظري که بتواند ويژگيهاي الکتريکي گاز حفره¬اي دوبعدي درون چاه کوانتومي ساختارp-Si/SiGe/Si و همچنین ميزان انتقال بار آزاد به درون چاه و بستگي آن به پارامترهاي ساختار را توجيه کند ارائه می دهیم . در ساختار دورآلاييده معکوس p-Si/SiGe/Si دريچه¬دار با دريچه Al/Ti/Si از اين مدل نظري استفاده مي¬کنيم و با برازش نتایج تجربی تغییرات چگالی سطحی گاز حفره¬ای بر حسب ولتاژ دریچه توانسته¬ایم چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si در این ساختارها را در محدوده (m-2) 1015 × 78/1 تا (m-2) 1015 × 63/4 ارزیابی کنیم .
|
خرید و دانلود | 14,700 تومان نوع فایل :WORD | تعداد صفحات :150 گزارش تخلف به پلیس سایت |